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高频电源mos,600v50a,60R065,KLF60R065B参数-KIA MOS管
KLF60R065B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 50mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷75nC，减少损耗、提高效率；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、超高坚固性，稳定可靠；广泛应用于高频开关电源及功率转换电路，开关速度快、...www.kiaic.com/article/detail/5852.html 2025-08-12
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电源稳压器工作原理,稳压电路原理图-KIA MOS管
电源稳压器主要由输入端、输出端、比较器、控制器、功率元件（如晶体管、可控硅等）以及可能包括的伺服电机、调压变压器、补偿变压器等组成。电源稳压器的工作原理主要基于自动调节输出电压的机制，以确保电路或电器设备能在额定工作电压下正常工作。www.kiaic.com/article/detail/5851.html 2025-08-12
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直流升压器,直流升压模块的工作原理-KIA MOS管
直流升压器是一种将直流电压升高的电力电子设备，直流升压器通过高频振荡产生低压脉冲，经脉冲变压器升压后，再通过整流和滤波获得所需的高压直流电。其输出电压通常高于输入电压，属于DC/DC转换器的一种类型。www.kiaic.com/article/detail/5850.html 2025-08-12
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lcd电源mos,900v场效应管,4890场效应管,KNP4890A-KIA MOS管
KNP4890A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流9A，采用先进的平面加工技术制造，低导通电阻RDS（ON）=1.2Ω，低栅极电荷，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；快速恢复体二极管，适用于高频开关电路，快速反向恢复特性，降低开关损耗并提升效率；广泛...www.kiaic.com/article/detail/5849.html 2025-08-11
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pmos和nmos组成构成什么电路-KIA MOS管
CMOS电路由PMOS（P沟道）管和NMOS（N沟道）管通过互补对称方式连接，形成推挽式工作模式。在基本反相器中，PMOS作为上拉管，NMOS作为下拉管，两者交替导通实现逻辑功能。www.kiaic.com/article/detail/5848.html 2025-08-11
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pmos与nmos的区别,工作原理详解-KIA MOS管
NMOS：以P型半导体为衬底，两侧为N型扩散区（源极S与漏极D），形成N型导电沟道。PMOS：以N型半导体为衬底，两侧为P型扩散区，形成P型导电沟道。www.kiaic.com/article/detail/5847.html 2025-08-11
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逆变器mos管,30a500v场效应管,8150场效应管,KNH8150A-KIA MOS管
KNH8150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流30A，采用先进的平面加工技术制造，?低导通电阻RDS(开启) 150mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷使开关损耗最小化；坚固的多晶硅栅极工艺，性能优越、?适合高集成度电路设计；广泛用于无...www.kiaic.com/article/detail/5846.html 2025-08-08
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太阳能逆变器工作原理详解-KIA MOS管
太阳能逆变器是太阳能发电系统的核心设备，主要用于将光伏电池板产生的直流电（DC）转换为可供电网或电器使用的交流电（AC），并承担调节电能质量的职能。www.kiaic.com/article/detail/5845.html 2025-08-08
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温度补偿电路图,温度补偿电路原理-KIA MOS管
温度补偿电路原理是利用正/负温度系数元件组合或反馈机制实现温度误差的动态修正。正负温度系数组合：正温度系数（PTC）元件在温度升高时电阻增大，负温度系数（NTC）元件电阻则减小，两者并联或串联可抵消温度引起的参数漂移。www.kiaic.com/article/detail/5844.html 2025-08-08
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电源管理mos,40v130a,2904场效应管现货,KNY2904A-KIA MOS管
KNY2904A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低导通电阻，减少开关损耗，低交叉失真，高效稳定；高输入阻抗和跨导?，实现快速切换，100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，坚固可靠，广泛用于PWM...www.kiaic.com/article/detail/5843.html 2025-08-07
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逆变电路电压调节,逆变电路三种调压方式-KIA MOS管
脉宽调制是一种通过改变脉冲宽度来调整输出电压的调压方式。在PWM调压中，逆变电路的开关器件在高频开关状态下工作，通过调整开关器件的导通时间，实现对输出电压的有效控制。www.kiaic.com/article/detail/5842.html 2025-08-07
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单相逆变电路原理图,工作原理详解-KIA MOS管
单相逆变电路采用全桥（H桥）或半桥结构，通过控制四个开关器件的交替导通，将直流电转换为交流电。当对角开关（如Q1/Q4或Q2/Q3）导通时，负载两端分别呈现正、负直流电压，通过周期性切换形成方波交流输出。www.kiaic.com/article/detail/5841.html 2025-08-07
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监视器应用,20a600v场效应管,KNF7160A参数现货-KIA MOS管
KNF7160A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A，采用专有平面新技术制造，高输入阻抗、低噪声，?极低导通电阻RDS（ON）0.35Ω（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷，减少开关损耗；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，高效低耗，稳定可靠；广泛...www.kiaic.com/article/detail/5840.html 2025-08-06
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ocl功率放大电路图,工作原理详解-KIA MOS管
OCL功率放大电路一般采用正、负对称的两组电源供电，电路内部直到负载扬声器全部采用直接耦合，中间无输入、输出变压器（人们将不用输入和输出变压器的功率放大电路称为单端推挽电路），也不需要输出电容器，其好处是通频带宽，信号失真最低。www.kiaic.com/article/detail/5839.html 2025-08-06